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SC-3GA-4
YIM
| Cantidad: | |
|---|---|
Célula solar GaAs de triple unión al 32 % (40 cm × 80 cm)
Este tipo de celda es una celda solar de unión triple con sustrato de GaInP2/GaAs/Ge sobre Ge (clase de eficiencia del 32 %).La celda solar tiene un área activa de 30 cm2.
El ensamblaje de la celda solar está equipado con un diodo de derivación de Si discreto, interconectores y una cubierta de vidrio.
Matriz solar GaAs de triple unión
Características
La matriz solar GaAs de triple unión es consistente Matriz solar GaAs de triple unión o paneles solares en una cierta forma de ensamblaje eléctrico. Las características son alta potencia de salida, alta capacidad antirradiación fuerte, amplio rango de aplicación.
Aplicaciones
LEO,MEO,GEO y exploraciones de la nave espacial
experiencia de vuelo
satélites de la serie SJ, satélites de la serie GY.
Cada producto proporcionaremos un riguroso informe de prueba.
Ensamblaje de celdas solares GaAs de triple unión al 32 %
Este tipo de celda es un GaInP2/GaAs/Ge sobre ensamblaje de celdas solares de triple unión con sustrato de Ge (clase de eficiencia del 32 %).El ensamblaje de la celda solar está equipado con un diodo de derivación de Si discreto, interconectores y una cubierta de vidrio.
1. Diseño y Datos Mecánicos
Material de base | GananciaP2/GaAs/Ge sobre sustrato Ge |
Recubrimiento AR | TiOX/Alabama2O3 |
Dimensions | (60,15±0,05)mm×(40,15±0,05)mm |
Área de celda | 24,00 cm2 |
Peso | 2.025g |
Espesor | 0,161 mm |
Vidrio de protección | KFB 120 |
Espesor del cubreobjetos | 120±20μm |
Interconectores (3 × lado frontal/1 × diodo) | Agricultura |
Grosor del interconector | 17 μm |
2. Parámetros eléctricos típicos (SCA)
Voc de circuito abierto promedio (mV) | 2650 |
Cortocircuito promedio Jsc (mA/cm2) | 19.1 |
Voltaje @ Máx.Potencia Vm (mV) | 2350 |
Actual @ Máx.PotenciaJm (mA/cm2) | 18.45 |
Eficiencia media ηdesnudo (1353 W/m2) | 32% |
Factor de llenado promedio | 0.850 |
Estándar: AM0, 1 sol, 1353 W/m2, 25℃.
3. Degradación por radiación (Fluencia 1MeV)
Parámetros | 1×1015e/cm2 |
Soy/Soy0 | 0.95 |
Vm/Vm0 | 0.88 |
p.m./p.m.0 | 0.84 |
4. Valores de Aceptación (SCA)
Voltaje VL | 2200mV |
mín.corriente media yoL min @VL | 540mA |
mín.corriente individual yoamo @VL | 520mA |
5. Protección contra sombras (diodo de derivación discreto)
Vadelante(620mA) | ≤1.0V |
Icontrarrestar(4,0 V) | ≤0.2mA |
6. Coeficientes de temperatura (20℃～65℃)
Parámetros | BOL | 1 MeV, 5 × 1014e/cm2 | 1 MeV, 1 × 1015e/cm2 | |
Jsc (μA/cm2/℃) | 11.0 | 10.0 | 13.0 | |
Voc (mV/℃) | -5.9 | -6.1 | -6.3 | |
Jm (μA/cm2/℃) | 9.0 | 9.5 | 15.0 | |
Vm (mV/℃) | -6.0 | -6.2 | -6.5 |
7. Límite de ventas
Absorción | ≤ 0,92 | |
Prueba de tracción (a 45°) | ≥0,83 N/mm2 | |
Estado | Calificado |
Célula solar GaAs de triple unión al 32 % (40 cm × 80 cm)
Este tipo de celda es una celda solar de unión triple con sustrato de GaInP2/GaAs/Ge sobre Ge (clase de eficiencia del 32 %).La celda solar tiene un área activa de 30 cm2.
El ensamblaje de la celda solar está equipado con un diodo de derivación de Si discreto, interconectores y una cubierta de vidrio.
Matriz solar GaAs de triple unión
Características
La matriz solar GaAs de triple unión es consistente Matriz solar GaAs de triple unión o paneles solares en una cierta forma de ensamblaje eléctrico. Las características son alta potencia de salida, alta capacidad antirradiación fuerte, amplio rango de aplicación.
Aplicaciones
LEO,MEO,GEO y exploraciones de la nave espacial
experiencia de vuelo
satélites de la serie SJ, satélites de la serie GY.
Cada producto proporcionaremos un riguroso informe de prueba.
Ensamblaje de celdas solares GaAs de triple unión al 32 %
Este tipo de celda es un GaInP2/GaAs/Ge sobre ensamblaje de celdas solares de triple unión con sustrato de Ge (clase de eficiencia del 32 %).El ensamblaje de la celda solar está equipado con un diodo de derivación de Si discreto, interconectores y una cubierta de vidrio.
1. Diseño y Datos Mecánicos
Material de base | GananciaP2/GaAs/Ge sobre sustrato Ge |
Recubrimiento AR | TiOX/Alabama2O3 |
Dimensions | (60,15±0,05)mm×(40,15±0,05)mm |
Área de celda | 24,00 cm2 |
Peso | 2.025g |
Espesor | 0,161 mm |
Vidrio de protección | KFB 120 |
Espesor del cubreobjetos | 120±20μm |
Interconectores (3 × lado frontal/1 × diodo) | Agricultura |
Grosor del interconector | 17 μm |
2. Parámetros eléctricos típicos (SCA)
Voc de circuito abierto promedio (mV) | 2650 |
Cortocircuito promedio Jsc (mA/cm2) | 19.1 |
Voltaje @ Máx.Potencia Vm (mV) | 2350 |
Actual @ Máx.PotenciaJm (mA/cm2) | 18.45 |
Eficiencia media ηdesnudo (1353 W/m2) | 32% |
Factor de llenado promedio | 0.850 |
Estándar: AM0, 1 sol, 1353 W/m2, 25℃.
3. Degradación por radiación (Fluencia 1MeV)
Parámetros | 1×1015e/cm2 |
Soy/Soy0 | 0.95 |
Vm/Vm0 | 0.88 |
p.m./p.m.0 | 0.84 |
4. Valores de Aceptación (SCA)
Voltaje VL | 2200mV |
mín.corriente media yoL min @VL | 540mA |
mín.corriente individual yoamo @VL | 520mA |
5. Protección contra sombras (diodo de derivación discreto)
Vadelante(620mA) | ≤1.0V |
Icontrarrestar(4,0 V) | ≤0.2mA |
6. Coeficientes de temperatura (20℃～65℃)
Parámetros | BOL | 1 MeV, 5 × 1014e/cm2 | 1 MeV, 1 × 1015e/cm2 | |
Jsc (μA/cm2/℃) | 11.0 | 10.0 | 13.0 | |
Voc (mV/℃) | -5.9 | -6.1 | -6.3 | |
Jm (μA/cm2/℃) | 9.0 | 9.5 | 15.0 | |
Vm (mV/℃) | -6.0 | -6.2 | -6.5 |
7. Límite de ventas
Absorción | ≤ 0,92 | |
Prueba de tracción (a 45°) | ≥0,83 N/mm2 | |
Estado | Calificado |
