Español 
SC-3GA-1
YIM
| Cantidad: | |
|---|---|
Descripción Técnica SC-3GA-1-12
1. Diseño y Datos Mecánicos
Material de base | GaInP2/GaAs/Ge en sustrato Ge |
Recubrimiento AR | TiOX/Alabama2O3 |
Dimensions | 40 mm × 30 mm |
Área de celda | 12,00 cm2 |
Peso | (145±12)mg/cm32 |
Espesor | 0,36±0,02 mm |
Vidrio de protección | KFB 120 |
Espesor del cubreobjetos | 120±20μm |
Interconectores (2 × lado frontal/1 × diodo) | Agricultura |
Grosor del interconector | 17 μm |
2. Parámetros eléctricos típicos (SCA)
Voc de circuito abierto promedio (mV) | 2630 |
Cortocircuito promedio Jsc (mA/cm2) | 17.0 |
Eficiencia media ηdesnudo (1367 W/m2) | 27,5% |
Factor de llenado promedio | 0.840 |
Estándar: AM0, 1 sol, 1353 W/m2, 25℃.
3. Degradación por radiación (Fluencia 1MeV)
Parámetros | 1×1014e/cm2 | 5×1014e/cm2 | 1×1015e/cm2 |
Soy/Soy0 | 0.99 | 0.96 | 0.92 |
Vm/Vm0 | 0.94 | 0.92 | 0.90 |
p.m./p.m.0 | 0.93 | 0.88 | 0.83 |
4. Valores de Aceptación (SCA)
Voltaje VL | 2200mV |
mín.corriente media yoL min @VL | 190mA |
mín.corriente individual yoamo @VL | 170mA |
5. Protección contra sombras (diodo de derivación integrado)
Vadelante(250mA) | ≤4.0V |
Icontrarrestar(4,0 V) | ≤1.0mA |
6. Coeficientes de temperatura (15℃～75℃)
Parámetros | BOL | 1 MeV, 5 × 1014e/cm2 |
Jsc (uA/cm2/℃) | 5.0 | 6.0 |
Voc (mV/℃) | -6.4 | -6.8 |
7. Límite de ventas
Absorción | ≤ 0,92 |
Emitancia (Normal) | 0,84±0,02 |
Prueba de tracción (a 45°) | ≥0,83 N/mm2 |
Estado | Calificado |
Descripción Técnica SC-3GA-1-12
1. Diseño y Datos Mecánicos
Material de base | GaInP2/GaAs/Ge en sustrato Ge |
Recubrimiento AR | TiOX/Alabama2O3 |
Dimensions | 40 mm × 30 mm |
Área de celda | 12,00 cm2 |
Peso | (145±12)mg/cm32 |
Espesor | 0,36±0,02 mm |
Vidrio de protección | KFB 120 |
Espesor del cubreobjetos | 120±20μm |
Interconectores (2 × lado frontal/1 × diodo) | Agricultura |
Grosor del interconector | 17 μm |
2. Parámetros eléctricos típicos (SCA)
Voc de circuito abierto promedio (mV) | 2630 |
Cortocircuito promedio Jsc (mA/cm2) | 17.0 |
Eficiencia media ηdesnudo (1367 W/m2) | 27,5% |
Factor de llenado promedio | 0.840 |
Estándar: AM0, 1 sol, 1353 W/m2, 25℃.
3. Degradación por radiación (Fluencia 1MeV)
Parámetros | 1×1014e/cm2 | 5×1014e/cm2 | 1×1015e/cm2 |
Soy/Soy0 | 0.99 | 0.96 | 0.92 |
Vm/Vm0 | 0.94 | 0.92 | 0.90 |
p.m./p.m.0 | 0.93 | 0.88 | 0.83 |
4. Valores de Aceptación (SCA)
Voltaje VL | 2200mV |
mín.corriente media yoL min @VL | 190mA |
mín.corriente individual yoamo @VL | 170mA |
5. Protección contra sombras (diodo de derivación integrado)
Vadelante(250mA) | ≤4.0V |
Icontrarrestar(4,0 V) | ≤1.0mA |
6. Coeficientes de temperatura (15℃～75℃)
Parámetros | BOL | 1 MeV, 5 × 1014e/cm2 |
Jsc (uA/cm2/℃) | 5.0 | 6.0 |
Voc (mV/℃) | -6.4 | -6.8 |
7. Límite de ventas
Absorción | ≤ 0,92 |
Emitancia (Normal) | 0,84±0,02 |
Prueba de tracción (a 45°) | ≥0,83 N/mm2 |
Estado | Calificado |
