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célula solar GaAs de triple unión
La celda solar GaAs de triple unión consta de una celda inferior de germanio (Ge), una celda intermedia de indio galio arsénico (InGaAs) y una celda superior de galio indio fósforo (GaInP2) conectadas en serie, con una estructura de celda n/p.
La eficiencia de conversión fotoeléctrica típica es del 30 % y las dimensiones típicas son 144,3 mm x 68,5 mm x 0,24 mm.
Vidrio de protección
El cubreobjetos está hecho de cubreobjetos resistente a la radiación con película de MgF2 vaporizada en la superficie, el ancho del defecto del borde de la película de MgF2 debido a las herramientas no supera los 0,5 mm y el área total del defecto no supera el 5 % de el área total del cubreobjetos.
Las dimensiones típicas del cubreobjetos son 144,45 mm x 68,65 mm x 0,12 mm.
diodos de derivación
Los diodos de derivación utilizan diodos de silicio.
En ausencia de luz y con una corriente de cortocircuito aplicada de 1,2 Isc, la tensión en estado activo del diodo de silicio es inferior a 1,0 V.
En ausencia de luz y con un voltaje inverso de -4 V aplicado, la corriente de fuga inversa del diodo de silicio es inferior a 10 μA
Las dimensiones típicas son 17,3 mm x 9,5 mm x 0,19 mm
piezas interconectadas
Las piezas de interconexión son interconexiones plateadas con una capa exterior de plata, de 30 μm ± 5 μm de espesor, de la cual la plata tiene una pureza de no menos del 99,95 %.
La pieza de interconexión tiene un anillo de alivio de tensión que está intacto y sin daños.
Anillos de alivio de tensión de pieza de interconexión probados a fatiga sin fractura.
La dimensión típica es de 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
Peso
El peso de la celda laminada es: 13 g ± 1,5 g.
Materiales basicos | GananciaP2/GaAs/Ge sobre sustrato Ge |
capa de oxido | TiOX/Alabama2O3 |
tamaño | 144,45 mm × 68,65 mm |
Area efectiva | 80cm2 |
peso | 13.2±1.0g |
espesor | 0,40±0,05 mm |
Placa de cubierta de vidrio | Cubierta de vidrio resistente a la radiación, 120±20 μm |
Regleta de interconexión | KOVAR，35μm |
Voltaje de circuito abierto Voc (mV) | 2780 |
Densidad de corriente de cortocircuito Jsc (mA/cm2) | 17.0 |
Tensión de punto de trabajo óptimo Vm (mV) | 2470 |
Mejor punto de operación corriente Jm (mA/cm2) | 16.3 |
Eficiencia de conversión η (1353W/m2) | 30% |
célula solar GaAs de triple unión
La celda solar GaAs de triple unión consta de una celda inferior de germanio (Ge), una celda intermedia de indio galio arsénico (InGaAs) y una celda superior de galio indio fósforo (GaInP2) conectadas en serie, con una estructura de celda n/p.
La eficiencia de conversión fotoeléctrica típica es del 30 % y las dimensiones típicas son 144,3 mm x 68,5 mm x 0,24 mm.
Vidrio de protección
El cubreobjetos está hecho de cubreobjetos resistente a la radiación con película de MgF2 vaporizada en la superficie, el ancho del defecto del borde de la película de MgF2 debido a las herramientas no supera los 0,5 mm y el área total del defecto no supera el 5 % de el área total del cubreobjetos.
Las dimensiones típicas del cubreobjetos son 144,45 mm x 68,65 mm x 0,12 mm.
diodos de derivación
Los diodos de derivación utilizan diodos de silicio.
En ausencia de luz y con una corriente de cortocircuito aplicada de 1,2 Isc, la tensión en estado activo del diodo de silicio es inferior a 1,0 V.
En ausencia de luz y con un voltaje inverso de -4 V aplicado, la corriente de fuga inversa del diodo de silicio es inferior a 10 μA
Las dimensiones típicas son 17,3 mm x 9,5 mm x 0,19 mm
piezas interconectadas
Las piezas de interconexión son interconexiones plateadas con una capa exterior de plata, de 30 μm ± 5 μm de espesor, de la cual la plata tiene una pureza de no menos del 99,95 %.
La pieza de interconexión tiene un anillo de alivio de tensión que está intacto y sin daños.
Anillos de alivio de tensión de pieza de interconexión probados a fatiga sin fractura.
La dimensión típica es de 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
Peso
El peso de la celda laminada es: 13 g ± 1,5 g.
Materiales basicos | GananciaP2/GaAs/Ge sobre sustrato Ge |
capa de oxido | TiOX/Alabama2O3 |
tamaño | 144,45 mm × 68,65 mm |
Area efectiva | 80cm2 |
peso | 13.2±1.0g |
espesor | 0,40±0,05 mm |
Placa de cubierta de vidrio | Cubierta de vidrio resistente a la radiación, 120±20 μm |
Regleta de interconexión | KOVAR，35μm |
Voltaje de circuito abierto Voc (mV) | 2780 |
Densidad de corriente de cortocircuito Jsc (mA/cm2) | 17.0 |
Tensión de punto de trabajo óptimo Vm (mV) | 2470 |
Mejor punto de operación corriente Jm (mA/cm2) | 16.3 |
Eficiencia de conversión η (1353W/m2) | 30% |
