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SC-3GA-3
YIM
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célula solar GaAs de triple unión
La celda solar GaAs de triple unión consta de una celda inferior de germanio (Ge), una celda intermedia de indio galio arsénico (InGaAs) y una celda superior de galio indio fósforo (GaInP2) conectadas en serie, con una estructura de celda n/p.
La eficiencia de conversión fotoeléctrica típica es del 30% y las dimensiones típicas son 80,0 mm x 40,0 mm x 0,155 mm.
Vidrio de protección
El cubreobjetos está hecho de cubreobjetos resistente a la radiación con película de MgF2 vaporizada en la superficie, el ancho del defecto del borde de la película de MgF2 debido a las herramientas no supera los 0,5 mm y el área total del defecto no supera el 5 % de el área total del cubreobjetos.
Las dimensiones típicas del cubreobjetos son 80,15 mm x 40,15 mm x 0,12 mm.
diodos de derivación
Los diodos de derivación utilizan diodos de silicio.
En ausencia de luz y con una corriente de cortocircuito aplicada de 1,2 Isc, la tensión en estado activo del diodo de silicio es inferior a 1,0 V.
En ausencia de luz y con un voltaje inverso de -4 V aplicado, la corriente de fuga inversa del diodo de silicio es inferior a 10 μA
Las dimensiones típicas son 10,0 mm x 10,0 mm x 0,17 mm
piezas interconectadas
Las piezas de interconexión son interconexiones plateadas con una capa exterior de plata, de 30 μm ± 5 μm de espesor, de la cual la plata tiene una pureza de no menos del 99,95 %.
La pieza de interconexión tiene un anillo de alivio de tensión que está intacto y sin daños.
Anillos de alivio de tensión de pieza de interconexión probados a fatiga sin fractura.
La dimensión típica es de 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
célula solar GaAs de triple unión
La celda solar GaAs de triple unión consta de una celda inferior de germanio (Ge), una celda intermedia de indio galio arsénico (InGaAs) y una celda superior de galio indio fósforo (GaInP2) conectadas en serie, con una estructura de celda n/p.
La eficiencia de conversión fotoeléctrica típica es del 30% y las dimensiones típicas son 80,0 mm x 40,0 mm x 0,155 mm.
Vidrio de protección
El cubreobjetos está hecho de cubreobjetos resistente a la radiación con película de MgF2 vaporizada en la superficie, el ancho del defecto del borde de la película de MgF2 debido a las herramientas no supera los 0,5 mm y el área total del defecto no supera el 5 % de el área total del cubreobjetos.
Las dimensiones típicas del cubreobjetos son 80,15 mm x 40,15 mm x 0,12 mm.
diodos de derivación
Los diodos de derivación utilizan diodos de silicio.
En ausencia de luz y con una corriente de cortocircuito aplicada de 1,2 Isc, la tensión en estado activo del diodo de silicio es inferior a 1,0 V.
En ausencia de luz y con un voltaje inverso de -4 V aplicado, la corriente de fuga inversa del diodo de silicio es inferior a 10 μA
Las dimensiones típicas son 10,0 mm x 10,0 mm x 0,17 mm
piezas interconectadas
Las piezas de interconexión son interconexiones plateadas con una capa exterior de plata, de 30 μm ± 5 μm de espesor, de la cual la plata tiene una pureza de no menos del 99,95 %.
La pieza de interconexión tiene un anillo de alivio de tensión que está intacto y sin daños.
Anillos de alivio de tensión de pieza de interconexión probados a fatiga sin fractura.
La dimensión típica es de 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
